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NCD57090BDWR2G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NCD57090BDWR2G

功能描述

Isolated High Current IGBT/MOSFET Gate Driver

文件大小

1.97998 Mbytes

页面数量

25

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-27 9:38:00

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供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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