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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
NAND512W3A2SZAXE | Package：63-TFBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | |
512-Mbit, 528-byte/264-word page, 1.8 V/3 V, SLC NAND flash memories 文件：1.38089 Mbytes 页数：55 Pages | NUMONYX | NUMONYX | ||
512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Description The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The NAND512R3A2C, NAND512R4A2C, NAND512W3A2C, and NAND512W4A2C have a density of 512 Mbi 文件：1.27065 Mbytes 页数：51 Pages | NUMONYX | NUMONYX | ||
512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories 文件：674.58 Kbytes 页数：51 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
产品属性
- 产品编号：
NAND512W3A2SZAXE
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
闪存 - NAND
- 存储容量：
512Mb（64M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
50ns
- 电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
63-TFBGA
- 供应商器件封装：
63-VFBGA（9x11）
- 描述：
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICRON/美光 |
22+ |
NA |
3000 |
支持任何机构检测 只做原装正品 |
询价 | ||
MICRON/美光 |
23+ |
BGA |
98900 |
原厂原装正品现货!! |
询价 | ||
ST |
23+ |
BGA |
7850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
MICRON/美光 |
25+ |
BGA |
13800 |
原装,请咨询 |
询价 | ||
ST |
24+ |
BGA |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
Micron Technology Inc. |
21+ |
165-LBGA |
5280 |
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
询价 | ||
MICRON/美光 |
24+ |
NA |
20000 |
美光专营原装正品 |
询价 | ||
Micron Technology Inc. |
24+ |
63-VFBGA(9x11) |
56200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
Micron |
1942+ |
N/A |
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MICRON |
25+ |
BGA-63 |
1001 |
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