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NAND512W3A2CN6	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND512W3A2CN6E	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND512W3A2CN6E	文件：1.27065 Mbytes Page：51 Pages	512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Description TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthat usestheSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPage family.TheNAND512R3A2C,NAND512R4A2C,NAND512W3A2C,andNAND512W4A2C haveadensityof512Mbi	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND512W3A2CN6F	文件：1.27065 Mbytes Page：51 Pages	512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Description TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthat usestheSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPage family.TheNAND512R3A2C,NAND512R4A2C,NAND512W3A2C,andNAND512W4A2C haveadensityof512Mbi	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND512W3A2CN6F	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND512W3A2CN6T	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND512W3A2CN6E	文件：674.58 Kbytes Page：51 Pages	512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND512W3A2CN6F	文件：674.58 Kbytes Page：51 Pages	512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND512W3A2CN6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA

详细参数

型号：
NAND512W3A2CN6
功能描述：
闪存 512 MBIT MEM ARRAY NAND FLASH MEMORY
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
数据总线宽度：
1 bit
存储类型：
Flash
存储容量：
2 MB
结构：
256 K x 8
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.3 V
最大工作电流：
15 mA
工作温度：
- 40 C to + 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	NAND512W3A2CN6	ST/意法	25+	TSTOP-48	32360	ST/意法全新特价NAND512W3A2CN6即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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