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NAND512W3A2CN6F	文件：1.27065 Mbytes Page：51 Pages	512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Description The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The NAND512R3A2C, NAND512R4A2C, NAND512W3A2C, and NAND512W4A2C have a density of 512 Mbi 文件：1.27065 Mbytes 页数：51 Pages	NUMONYX	NUMONYX
NAND512W3A2CN6F	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND512W3A2CN6F	文件：674.58 Kbytes Page：51 Pages	512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories 文件：674.58 Kbytes 页数：51 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND512W3A2CN6T	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
NAND512W3A2CN6F
功能描述：
闪存 512 MB 528 Byte 264 word pg 1.8V/3V
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
数据总线宽度：
1 bit
存储类型：
Flash
存储容量：
2 MB
结构：
256 K x 8
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.3 V
最大工作电流：
15 mA
工作温度：
- 40 C to + 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

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