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NAND256W3A2BN6 集成电路(IC)存储器 STMICROELECTRONICS/意法半导体
- 详细信息
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原厂料号:NAND256W3A2BN6品牌:ST(意法)
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
NAND256W3A2BN6是集成电路(IC) > 存储器。制造商ST(意法)/STMicroelectronics生产封装封装/48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)的NAND256W3A2BN6存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
产品属性
更多- 类型
描述
- 制造商编号
:NAND256W3A2BN6
- 生产厂家
:意法
- 存储器格式
:闪存
- 技术
:FLASH - NAND
- 存储容量
:256Mb (32M x 8)
- 写周期时间 - 字,页
:50ns
- 访问时间
:50ns
- 存储器接口
:并联
- 电压 - 电源
:2.7 V ~ 3.6 V
- 工作温度
:-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:48-TFSOP(0.724\,18.40mm 宽)
- 供应商器件封装
:48-TSOP
供应商
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