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NAND01GW3B2CN6E集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NAND01GW3B2CN6E |
参数属性 | NAND01GW3B2CN6E 封装/外壳为48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP |
功能描述 | 1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
封装外壳 | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
文件大小 |
1.34162 Mbytes |
页面数量 |
60 页 |
生产厂商 | NUMONYX |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-5 10:46:00 |
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更多产品属性
- 产品编号:
NAND01GW3B2CN6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
管件
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
1Gb(128M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
25ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:
48-TSOP
- 描述:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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Micron |
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ST/意法 |
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ST |
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ST/意法 |
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