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NAND01GW3B2BZA6E集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NAND01GW3B2BZA6E |
| 参数属性 | NAND01GW3B2BZA6E 封装/外壳为63-TFBGA；包装为管件；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
| 功能描述 | 1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| 封装外壳 | 63-TFBGA |
| 文件大小 |
1.34162 Mbytes |
| 页面数量 |
60 页 |
| 生产厂商 | NUMONYX |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-21 23:00:00 |
| 人工找货 | NAND01GW3B2BZA6E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
NAND01GW3B2BZA6E
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
闪存 - NAND
- 存储容量：
1Gb（128M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
30ns
- 电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
63-TFBGA
- 供应商器件封装：
63-VFBGA（9x11）
- 描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MRON/美光 |
24+ |
NA/ |
3271 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ST |
2016+ |
TSSOP48 |
3500 |
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询价 | ||
MICRON |
24+ |
BGA |
80000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
BGA |
65248 |
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ST |
24+ |
TSOP48 |
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询价 | ||
ST |
0946+ |
BGA |
44 |
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Numonyx/STMi |
23+ |
63-VFBGA |
65480 |
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ST/意法 |
21+ |
TSOP48 |
7500 |
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询价 | ||
ST |
25+ |
SOP |
15000 |
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询价 | ||
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