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NAND01GW3B2BZA6E集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NAND01GW3B2BZA6E |
参数属性 | NAND01GW3B2BZA6E 封装/外壳为63-TFBGA;包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
功能描述 | 1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
封装外壳 | 63-TFBGA |
文件大小 |
1.34162 Mbytes |
页面数量 |
60 页 |
生产厂商 | numonyx |
企业简称 |
NUMONYX |
中文名称 | numonyx官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-24 22:59:00 |
人工找货 | NAND01GW3B2BZA6E价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号:
NAND01GW3B2BZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
管件
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
1Gb(128M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
30ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
63-TFBGA
- 供应商器件封装:
63-VFBGA(9x11)
- 描述:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MRON/美光 |
24+ |
NA/ |
3271 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ST |
2016+ |
TSSOP48 |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
MICRON |
24+ |
BGA |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
BGA |
65248 |
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询价 | ||
ST |
0946+ |
BGA |
44 |
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询价 | ||
ST |
1948+ |
BGA |
6852 |
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询价 | ||
16+ |
QFN |
2500 |
进口原装现货/价格优势! |
询价 | |||
ST |
24+ |
BGA |
23000 |
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询价 | ||
Micron Technology Inc. |
21+ |
6-WFBGA,CSPBGA |
5280 |
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询价 | ||
25+23+ |
原厂原包 |
24123 |
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询价 |