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NAND01GW3B2CN6 集成电路（IC）存储器 ST/意法半导体
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号：
NAND01GW3B2CN6E
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 类别：
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
闪存 - NAND
- 存储容量：
1Gb（128M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
25ns
- 电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装：
48-TSOP
- 描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
供应商
- 企业：
深圳市凌旭科技有限公司
- 商铺：
- 联系人：
谢先生(本公司为一般纳税人,可开13%增值税发票,请放心采购)
- 手机：
13682335883
- 询价：
- 电话：
0755-83221677
- 传真：
0755-83234215
- 地址：
深圳市福田区红荔路上步工业区501栋407
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