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NAND01GW3B2CN6E_STMICROELECTRONICS/意法半导体_IC FLASH 1GBIT 48TSOP旺财半导体
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
NAND01GW3B2CN6E
- 功能描述:
IC FLASH 1GBIT 48TSOP
- RoHS:
是
- 类别:
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列:
-
- 产品变化通告:
Product Discontinuation 26/Apr/2010
- 标准包装:
136
- 系列:
- 格式 -
- 存储器:
RAM
- 存储器类型:
SRAM - 同步,DDR II
- 存储容量:
18M(1M x 18)
- 速度:
200MHz
- 接口:
并联
- 电源电压:
1.7 V ~ 1.9 V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C
- 封装/外壳:
165-TBGA
- 供应商设备封装:
165-CABGA(13x15)
- 包装:
托盘
- 其它名称:
71P71804S200BQ
供应商
- 企业:
深圳市旺财半导体有限公司
- 商铺:
- 联系人:
李先生
- 手机:
13332916726
- 询价:
- 电话:
0755-83209217
- 传真:
0755-83209217
- 地址:
深圳市福田区振华西路华康大厦二栋603室/柜台地址:华强广场Q2C022/工厂地址:宝安华丰工业区A栋7楼
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