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N6506NZ-S17-AY规格书详情
Description
The N6506NZ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features
Low on-state resistance
RDS (on) = 1.3 MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.75 A)
Low input capacitance
Ciss = 1385pF TYP. (VDS = 10V, VGS = 0 V)
High current
ID(DC) = ±7.5 A
RoHS Compliant
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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22+ |
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