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N04L163WC1C	文件：271.75 Kbytes Page：10 Pages	4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM Features •SingleWidePowerSupplyRange 2.2to3.6Volts •Verylowstandbycurrent 2.0μAat3.0V(Typical) •Verylowoperatingcurrent 1.5mAat3.0Vand1μs(Typical)	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
N04L163WC1A	文件：273.79 Kbytes Page：11 Pages	4MbUltra-LowPowerAsynchronousCMOSSRAM Overview TheN04L163WC1Aisanintegratedmemorydevicecontaininga4MbitStaticRandomAccessMemoryorganizedas262,144wordsby16bits.ThedeviceisdesignedandfabricatedusingNanoAmp’sadvancedCMOStechnologytoprovidebothhigh-speedperformanceandultra-lowpower. Features	NANOAMP NanoAmp Solutions, Inc.	NANOAMP
N04L163WC1AB	文件：273.79 Kbytes Page：11 Pages	4MbUltra-LowPowerAsynchronousCMOSSRAM Overview TheN04L163WC1Aisanintegratedmemorydevicecontaininga4MbitStaticRandomAccessMemoryorganizedas262,144wordsby16bits.ThedeviceisdesignedandfabricatedusingNanoAmp’sadvancedCMOStechnologytoprovidebothhigh-speedperformanceandultra-lowpower. Features	NANOAMP NanoAmp Solutions, Inc.	NANOAMP
N04L163WC1AT	文件：273.79 Kbytes Page：11 Pages	4MbUltra-LowPowerAsynchronousCMOSSRAM Overview TheN04L163WC1Aisanintegratedmemorydevicecontaininga4MbitStaticRandomAccessMemoryorganizedas262,144wordsby16bits.ThedeviceisdesignedandfabricatedusingNanoAmp’sadvancedCMOStechnologytoprovidebothhigh-speedperformanceandultra-lowpower. Features	NANOAMP NanoAmp Solutions, Inc.	NANOAMP

详细参数

型号：
N04L163WC1C
功能描述：
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
万三科技(深圳)有限公司	N04L163WC2AB2-70I	ON Semiconductor(安森美)	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
深圳市凌旭科技有限公司	N04L163WC2AB-70I	SOLUTIONS	2016+	BGA	3000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
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更多N04L163WC1C供应商更新时间2025-5-15 15:00:00

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