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N0400P	文件：309.72 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The N0400P is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current and 2.5 V drive switching applications. Features • 2.5 V drive available • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 40 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −7.5 A) RDS(on)2 = 73 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = 文件：309.72 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
N0400P-ZK-E1-AY	文件：309.72 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The N0400P is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current and 2.5 V drive switching applications. Features • 2.5 V drive available • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 40 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −7.5 A) RDS(on)2 = 73 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = 文件：309.72 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
N0400P-ZK-E2-AY	文件：309.72 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The N0400P is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current and 2.5 V drive switching applications. Features • 2.5 V drive available • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 40 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −7.5 A) RDS(on)2 = 73 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = 文件：309.72 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
N0400P_12	文件：232.95 Kbytes Page：9 Pages	N0400P 文件：232.95 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
N0400P_15	文件：232.95 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：232.95 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
N0400P-ZK-E1-AY	文件：232.95 Kbytes Page：9 Pages	N0400P 文件：232.95 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
N0400P-ZK-E1-AYNote	文件：232.95 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：232.95 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
N0400P-ZK-E2-AY	文件：232.95 Kbytes Page：9 Pages	N0400P 文件：232.95 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
N0400P-ZK-E2-AYNote	文件：232.95 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：232.95 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
N0400P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch Single Power Mosfet -40V -15A 40Mohm Mp-3Zk/To-252 The N0400P is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current and 2. 5 V drive switching applications. • 2.5 V drive available\n• Super low on-state resistanceRDS(on)1 = 40 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −7.5 A)RDS(on)2 = 73 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −3.8 A)\n• Built-in gate protection diode;	Renesas 瑞萨	Renesas

详细参数

型号：
N0400P
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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