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N0300N-T1B-AT	文件：259.769 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheN0300Nisaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya4.5Vpowersource. Thedevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •4.5Vdrive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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N0300N-T1B-AT

文件：259.769 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheN0300Nisaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya4.5Vpowersource. Thedevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •4.5Vdrive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

N0300N-T1B-AT

文件：488.1 Kbytes

Page：9 Pages

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
N0300N-T1B-AT
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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