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N0300N-T1B-AT中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

N0300N-T1B-AT

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

259.769 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-3 23:01:00

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N0300N-T1B-AT规格书详情

DESCRIPTION

The N0300N is a switching device which can be driven directly by a 4.5 V power source.

The device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on.

FEATURES

• 4.5 V drive available

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 50 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A)

RDS(on)2 = 83 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2.0 A)

• Built-in gate protection diode

产品属性

  • 型号:

    N0300N-T1B-AT

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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