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MXR2500MW

热式加速度传感器

• 基于MEMS和CMOS电路的单体集成双轴加速度计\n• –40℃到105℃温度范围内,0g温漂小于±100mg\n• ±2g动态范围,灵敏度为500mV/g\n• 持续自检测功能\n• 3. 0~5.25V的单电源运行\n• 可以平贴或者竖贴\n• 符合RoHS标准\n;

Memsic

美新半导体

N2500N

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The N2500N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for DC-DC converter and 2.5 V drive switching applications. FEATURES • 2.5 V drive available • Low on-state resistance RDS(on)1 = 5.8 Ω MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 0.25 A) RDS(on)2 = 6.6 Ω MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 0.25

文件:282.28 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

NCN2500

Low cap. diode array for 2 Line High Speed USB protection devic

文件:216.85 Kbytes 页数:2 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCN2500

USB Single Channel Transceiver

文件:106.39 Kbytes 页数:14 Pages

ONSEMI

安森美半导体

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更多MXR2500MW供应商 更新时间2025-12-24 9:07:00