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MWI75-12E8分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MWI75-12E8 |
参数属性 | MWI75-12E8 封装/外壳为E3;包装为盒;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 130A 500W E3 |
功能描述 | IGBT Modules |
封装外壳 | E3 |
文件大小 |
71.63 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | IXYS Corporation |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Corporation官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-28 11:01:00 |
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MWI75-12E8规格书详情
MWI75-12E8属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由IXYS Corporation制造生产的MWI75-12E8晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
IGBT Modules Sixpack
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
Features
• IGBTs
- low saturation voltage
- positive temperature coefficient
- fast switching
- short tail current for optimized performance also in resonant circuits
• HiPerFREDTM diode:
- fast reverse recovery
- low operating forward voltage
- low leakage current
• Industry Standard Package
- solderable pins for PCB mounting
- isolated copper base plate
Typical Applications
• AC drives
• power supplies with power factor correction
产品属性
更多- 产品编号:
MWI75-12E8
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
盒
- IGBT 类型:
NPT
- 配置:
三相反相器
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,75A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
无
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
E3
- 供应商器件封装:
E3
- 描述:
IGBT MODULE 1200V 130A 500W E3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
N/A |
12500 |
IXYS全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
E2 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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询价 | ||
IXYS |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原装现货 |
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IXYS |
专业模块 |
MODULE |
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模块原装主营-可开原型号增税票 |
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IXYS |
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E3 |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
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24+ |
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