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MWI75-12E8分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

MWI75-12E8
厂商型号

MWI75-12E8

参数属性

MWI75-12E8 封装/外壳为E3;包装为盒;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 130A 500W E3

功能描述

IGBT Modules
IGBT MODULE 1200V 130A 500W E3

封装外壳

E3

文件大小

71.63 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 11:01:00

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MWI75-12E8规格书详情

MWI75-12E8属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由IXYS Corporation制造生产的MWI75-12E8晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

IGBT Modules Sixpack

Short Circuit SOA Capability

Square RBSOA

Features

• IGBTs

- low saturation voltage

- positive temperature coefficient

- fast switching

- short tail current for optimized performance also in resonant circuits

• HiPerFREDTM diode:

- fast reverse recovery

- low operating forward voltage

- low leakage current

• Industry Standard Package

- solderable pins for PCB mounting

- isolated copper base plate

Typical Applications

• AC drives

• power supplies with power factor correction

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MWI75-12E8

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,75A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    E3

  • 供应商器件封装:

    E3

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 130A 500W E3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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