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MWI50-12A7T分立半导体产品晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

MWI50-12A7T
厂商型号

MWI50-12A7T

参数属性

MWI50-12A7T 封装/外壳为E2;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2

功能描述

IGBT Modules Sixpack
IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2

文件大小

111.14 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 21:06:00

MWI50-12A7T规格书详情

Short Circuit SOA Capability Square RBSOA

Features

● NPT IGBT technology

● low saturation voltage

● low switching losses

● switching frequency up to 30 kHz

● square RBSOA, no latch up

● high short circuit capability

● positive temperature coefficient for easy parallelling

● MOS input, voltage controlled

● ultra fast free wheeling diodes

● solderable pins for PCB mounting

● package with copper base plate

Advantages

● space savings

● reduced protection circuits

● package designed for wave soldering

Typical Applications

● AC motor control

● AC servo and robot drives

● power supplies

MWI50-12A7T属于分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的MWI50-12A7T晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

产品属性

  • 产品编号:

    MWI50-12A7T

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,50A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    E2

  • 供应商器件封装:

    E2

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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