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MWE6IC9100NBR1	文件：1.435 Mbytes Page：23 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：1.435 Mbytes 页数：23 Pages	恩XP	恩XP
MWE6IC9100NBR1	文件：881.02 Kbytes Page：23 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：881.02 Kbytes 页数：23 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MWE6IC9100NBR1	文件：852.9 Kbytes Page：23 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：852.9 Kbytes 页数：23 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MWE6IC9100NR1	文件：852.9 Kbytes Page：23 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：852.9 Kbytes 页数：23 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MWE6IC9100NR1	文件：1.435 Mbytes Page：23 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：1.435 Mbytes 页数：23 Pages	恩XP	恩XP
MWE6IC9100NR1	文件：881.02 Kbytes Page：23 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：881.02 Kbytes 页数：23 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MWE6IC9100NR1_08	文件：852.9 Kbytes Page：23 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：852.9 Kbytes 页数：23 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MWE6IC9100N	文件：300 bytes Page：1 Pages	960 MHz，100 W，26 V GSM/GSM EDGE LDMOS宽带射频集成功率放大器 MWE6IC9100NR1 in Lifetime Buy. Last Order Date: 01 Jul 2011. Last Ship Date: 30 Jun 2012. View replacement parts via Part Number Search. Final Application• Typical GSM Performance: VDD = 26 Volts, IDQ1 = 120 mA, IDQ2 = 950 mA, Pout = 100 Watts CW, f = 960 MHzPower Gain: 33.5 dBPower Added Efficiency: 54%\nGSM EDGE Application• Typical GSM EDGE Performance: VDD = 28 Volts, IDQ1 = 230 mA,IDQ2 = 870 mA, Pout = 50 Watts Avg., Full Fr;	恩XP	恩XP
MWE6IC9100NB	文件：300 bytes Page：1 Pages	GSM/GSM EDGE RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 960 MHz, 100 W, 26 V MWE6IC9100NR1 in Lifetime Buy. Last Order Date: 01 Jul 2011. Last Ship Date: 30 Jun 2012. View replacement parts via Part Number Search. Final Application• Typical GSM Performance: VDD = 26 Volts, IDQ1 = 120 mA, IDQ2 = 950 mA, Pout = 100 Watts CW, f = 960 MHzPower Gain: 33.5 dBPower Added Efficiency: 54%\nGSM EDGE Application• Typical GSM EDGE Performance: VDD = 28 Volts, IDQ1 = 230 mA,IDQ2 = 870 mA, Pout = 50 Watts Avg., Full Fr;	恩XP	恩XP

详细参数

型号：
MWE6IC9100N
功能描述：
射频放大器 100W 26V GSM
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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