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MURTA20020R	文件：425.07 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURTA20020R	文件：793.2 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURTA20020R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：三塔；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
PNE20020AER	文件：260.06 Kbytes Page：13 Pages	200V,2Ahyperfastrecoveryrectifier 1.Generaldescription Highpowerdensity,hyperfastswitchingtimerecoveryrectifierwithhigh-efficiencyplanar technology,encapsulatedinaCFP3(SOD123W)smallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •ReversevoltageVR≤200V •Forward	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20020AER-Q	文件：261.769 Kbytes Page：14 Pages	200V,2Ahyperfastrecoveryrectifier 1.Generaldescription Highpowerdensity,hyperfastswitchingtimerecoveryrectifierwithhigh-efficiencyplanar technology,encapsulatedinaCFP3(SOD123W)smallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •ReversevoltageVR≤200V •Forward	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20020AER-Q	文件：261.81 Kbytes Page：14 Pages	200V,2Ahyperfastrecoveryrectifier 1.Generaldescription Highpowerdensity,hyperfastswitchingtimerecoveryrectifierwithhigh-efficiencyplanar technology,encapsulatedinaCFP3(SOD123W)smallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •ReversevoltageVR≤200V •Forward	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20020EP	文件：245.41 Kbytes Page：12 Pages	200V,2Ahyperfastrecoveryrectifier 1.Generaldescription Highpowerdensity,hyperfastrecoveryrectifierwithhigh-efficiencyplanartechnology, encapsulatedinasmallandflatleadCFP5(SOD128)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •ReversevoltageVR≤200V •ForwardcurrentIF≤2A	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20020EP-Q	文件：244.07 Kbytes Page：12 Pages	200V,2Ahyperfastrecoveryrectifier 1.Generaldescription Highpowerdensity,hyperfastrecoveryrectifierwithhigh-efficiencyplanartechnology, encapsulatedinasmallandflatleadCFP5(SOD128)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •ReversevoltageVR≤200V •ForwardcurrentIF≤2A	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20020ER	文件：248.06 Kbytes Page：13 Pages	200V,2Ahyperfastrecoveryrectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20020ER-Q	文件：254.18 Kbytes Page：13 Pages	200V,2Ahyperfastrecoveryrectifier 1.Generaldescription Highpowerdensity,hyperfastrecoveryrectifierwithhigh-efficiencyplanartechnology, encapsulatedinasmallandflatleadSOD123WSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •ReversevoltageVR≤200V •ForwardcurrentIF≤2A •Swi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
MURTA20020R
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
100A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
三塔
供应商器件封装：
三塔
描述：
DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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