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MURTA20020R中文资料GENESIC数据手册PDF规格书
厂商型号 |
MURTA20020R |
参数属性 | MURTA20020R 封装/外壳为三塔;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER |
功能描述 | Silicon Super Fast Recovery Diode |
文件大小 |
793.2 Kbytes |
页面数量 |
3 页 |
生产厂商 | GeneSiC Semiconductor, Inc. |
企业简称 |
GENESIC |
中文名称 | GeneSiC Semiconductor, Inc.官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-22 15:00:00 |
产品属性
- 产品编号:
MURTA20020R
- 制造商:
GeneSiC Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 包装:
散装
- 二极管配置:
1 对共阳极
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
100A
- 速度:
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 工作温度 - 结:
-55°C ~ 150°C
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
三塔
- 供应商器件封装:
三塔
- 描述:
DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER