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MURT10020R	文件：359.94 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT10020R	文件：413.25 Kbytes Page：2 Pages	HIGH POWER- SUPER FAST RECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MURT10020R	文件：749.69 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT10020R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：三塔；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
PAB10020	文件：294.02 Kbytes Page：2 Pages	MINIATURESTANDARDPROXIMITYSENSOR	CELDUCcelduc Relais 凡纪继电器凡纪继电器（上海）有限公司	CELDUC
PBA10020	文件：320.75 Kbytes Page：2 Pages	MAGNETICPROXIMITYSENSOR	CELDUCcelduc Relais 凡纪继电器凡纪继电器（上海）有限公司	CELDUC
PMEG10020AELP	文件：244.01 Kbytes Page：15 Pages	100V,2AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG10020AELP-Q	文件：262.12 Kbytes Page：13 Pages	100V,2AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤2A •Reversevoltage:VR≤1	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG10020AELR	文件：237.87 Kbytes Page：15 Pages	100V,2AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG10020AELR-Q	文件：265.78 Kbytes Page：14 Pages	100V,2AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD123WsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤2A •Reversevoltage:VR≤	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
MURT10020R
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
标准型，反极性
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
50A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
三塔
供应商器件封装：
三塔
描述：
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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