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MURT10040

Silicon Super Fast Recovery Diode

文件:360.89 Kbytes 页数:3 Pages

GENESIC

MURT10040

Silicon Super Fast Recovery Diode

文件:732.43 Kbytes 页数:3 Pages

GENESIC

MURT10040

Silicon Power Recovery Diode

文件:939.85 Kbytes 页数:2 Pages

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MURT10040

Super Fast Recovery Rectifiers

Navitas

纳微半导体

MURT10040

Package:三塔;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY GP 400V 50A 3TOWER

GENESIC

MURT10040_18

Silicon Super Fast Recovery Diode

文件:732.43 Kbytes 页数:3 Pages

GENESIC

MURT10040R

Silicon Super Fast Recovery Diode

文件:360.89 Kbytes 页数:3 Pages

GENESIC

MURT10040R

Silicon Super Fast Recovery Diode

文件:732.43 Kbytes 页数:3 Pages

GENESIC

MURT10040R

Package:三塔;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER

GENESIC

产品属性

  • 产品编号:

    MURT10040

  • 制造商:

    GeneSiC Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    散装

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    50A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    三塔

  • 供应商器件封装:

    三塔

  • 描述:

    DIODE ARRAY GP 400V 50A 3TOWER

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GeneSiC
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GENESIC
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更多MURT10040供应商 更新时间2025-10-4 10:19:00