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MURF10010	文件：342.23 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURF10010R	文件：342.23 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURH10010	文件：342.71 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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MURH10010R	文件：342.71 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT10010	文件：359.94 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT10010	文件：749.69 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
OH10010	文件：45.76 Kbytes Page：2 Pages	GaAsHallDevice ■Features •Hallvoltage:typ.105mV(VC=6V,B=0.1T) •Inputresistance:typ.0.75kΩ •SatisfactorylinearityofGaAshallvoltagewithrespecttothemagneticfield •Smalltemperaturecoefficientofthehallvoltage:β≤−0.06/°C •Minitype(4-pin)packagewithpositioningprojec	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
PBA10010	文件：302.16 Kbytes Page：2 Pages	MAGNETICPROXIMITYSENSOR	CELDUCcelduc Relais (Shanghai）Co., Ltd 凡纪继电器凡纪继电器（上海）有限公司	CELDUC
PMEG10010ELR	文件：241.12 Kbytes Page：15 Pages	100V,1AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG10010ELR-Q	文件：265.22 Kbytes Page：14 Pages	100V,1AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD123WsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤1A •Reversevoltage:VR≤	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG10010ELRX	文件：241.12 Kbytes Page：15 Pages	100V,1AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG10010ELRX-TP	文件：1.01404 Mbytes Page：3 Pages	LowVFSurfaceMonutSchottkyBarrierRectifier Features «Fastswitchingspeed «Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion «Lowpowerloss,highefficiency «LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 «GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
PVC10010	文件：289.14 Kbytes Page：6 Pages	PolyesterandPolypropyleneFilm/FoilCapacitors	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
SHJC10010	文件：289.83 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTANTALUMCHIPSHJ	DUBILIERDUBILIER DUBILIER	DUBILIER
SHJC10010	文件：289.83 Kbytes Page：3 Pages	TANTALUMCHIP	DUBILIERDUBILIER DUBILIER	DUBILIER
SHJLC10010	文件：262.6 Kbytes Page：3 Pages	TANTALUMCHIP-LOWESR	DUBILIERDUBILIER DUBILIER	DUBILIER
SHJLD10010	文件：262.6 Kbytes Page：3 Pages	TANTALUMCHIP-LOWESR	DUBILIERDUBILIER DUBILIER	DUBILIER
SHJLE10010	文件：262.6 Kbytes Page：3 Pages	TANTALUMCHIP-LOWESR	DUBILIERDUBILIER DUBILIER	DUBILIER

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产品属性

产品编号：
MURT10010R
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
50A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
三塔
供应商器件封装：
三塔
描述：
DIODE MODULE 100V 50A 3TOWER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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