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NDSH30120CDN	文件：302.2 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,30A,1200V,D3,TO-247-3L Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRTS30120MFS	文件：205.07 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierRectifierTrench-based,HighPerformance ThisTrenchSchottkyrectifierishighperformancedeviceinSO−8 FLpackage.Thelowerforwardvoltage,lessleakagecurrent,and smalljunctioncapacitancearesuitabletohighswitchingfrequency highdensityDCtoDCconversionapplication.Offeringhigher avalancheenergycapabilityforO	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVTS30120MFS	文件：146.98 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierRectifierTrench-based,HighPerformance Features •LowerForwardVoltageDrop •LessLeakageCurrentinHighTemperature •SmallJunctionCapacitanceforHighSwitchingFrequency •HigherAvalancheEnergyCapability •175°COperatingJunctionTemperature •GoodAlternativeSolutionofSMCandDPAKPackage •SmallFootprint−Land	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE30120	文件：58.46 Kbytes Page：2 Pages	SuperBrightLEDIndicatorSuperPurple,3mm	NTE NTE Electronics	NTE
NTSB30120CTG	文件：133.85 Kbytes Page：8 Pages	VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTSB30120CTG	文件：140.05 Kbytes Page：9 Pages	VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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