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NRVBB1060	文件：177.82 Kbytes Page：7 Pages	Switch-modePowerRectifier Thisswitch−modepowerrectifierusestheSchottkyBarrier principlewithaplatinumbarriermetal.Thisstate−of−the−artdevice hasthefollowingfeatures: Features LowForwardVoltage 175COperatingJunctionTemperature LowPowerLoss/HighEfficiency HighSurgeCapacity ForAu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE1060	文件：18.54 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuitAM-RFAmp,Mix/OSC,FM-AMIFAmp Description: TheNTE1060isanintegratedcircuitdesignedforFM/AMradioreceiverapplications.TheAMsectionconsistsofanAM–RFamplifier,afrequencyconverterandanIFamplifiercircuit.TheFMsectionhasanIFamplifiercircuit. Features: ●ImprovedStabilitybecausetheFMandAMSe	NTE NTE Electronics	NTE
P1060AT	文件：1.10595 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P1060ATF	文件：529.14 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P1060ETF	文件：891.35 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P1060ETF	文件：193.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
P1060ETFS	文件：891.35 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P1060ETFS	文件：193.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
PA-1060	文件：577.47 Kbytes Page：1 Pages	5-ZONEMIXERAMPLIFIER	SOVICO SOVICO corp.	SOVICO
PBYR1060	文件：38.37 Kbytes Page：5 Pages	RectifierdiodesSchottkybarrier GENERALDESCRIPTION Schottkyrectifierdiodesinaplasticenvelope.Intendedforuseasoutputrectifiersinlowvoltage,highfrequencyswitchedmodepowersupplies. FEATURES •Lowforwardvoltdrop •Fastswitching •Reversesurgecapability •Highthermalcyclingperformanc	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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