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MURF30120CS	文件：274.26 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereInsulatedDualSeriesConnectionUltraFastRecoveryRectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MURF30120CT	文件：371.26 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereInsulatedDualCommonCathodeUltraFastRecoveryRectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MURF30120CT	文件：359.5 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereInsulatedCommonCathodeUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MURF30120CTA	文件：356.49 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereInsulatedCommonAnodeUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MURF30120CTD	文件：356.47 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereInsulatedDoublerPolarityUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MURF30120CTR	文件：356.47 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereInsulatedCommonAnodeUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
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MURS30120	文件：226.38 Kbytes Page：4 Pages	POLYIMIDEPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
MURS30120P	文件：226.38 Kbytes Page：4 Pages	POLYIMIDEPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
NDSH30120CDN	文件：302.2 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,30A,1200V,D3,TO-247-3L Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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