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NCE2030U	文件：378.79 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE2030Uusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=20V,ID=30A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NF2030A-RQ	文件：141.38 Kbytes Page：3 Pages	Single-phase2-line250VAC	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
NF2030A-UP	文件：61 Kbytes Page：2 Pages	Single-phase2-lineGeneral-purpose,Plastichousing	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
NF2030C-RQ	文件：195.05 Kbytes Page：3 Pages	Single-phase2-line500VACAvailable10-250A,Single-phaseGeneral-purpose	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
NF2030H-WQ	文件：151.76 Kbytes Page：3 Pages	DC48VDCCompact,Highattenuation	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
NSR2030DMX	文件：66.5 Kbytes Page：4 Pages	2A,30VSchottkyHalfBridge	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR2030DMXTAG	文件：66.5 Kbytes Page：4 Pages	2A,30VSchottkyHalfBridge	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR2030QMUTAG	文件：76.41 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyFullBridge	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR2030QMUTWG	文件：127.9 Kbytes Page：6 Pages	2A,30VSchottkyFullBridge ThesefullbridgeSchottkybarrierdiodesaredesignedforthe rectificationofthehighspeedsignalofwirelesscharging.The NSR2030QMUTWGhasaverylowforwardvoltagethatwillreduce conductionloss.ItishousedinaUDFN3.5x3.5x0.5mmpackage thatisidealforspaceconstrainedw	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE2030	文件：25.66 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitHighVoltageSegmentDriverforGasDischargeTubes Description: TheNTE2030iscapableofdriving8segmentsofahighvoltagedisplaytubewithaconstantoutputsinkcurrent,whichcanbeadjustedbyexternalprogramresistor,Rp.Theprogramcurrentishalfthatofoutput“ON”current.Inthe“OFF”statetheoutputscantoleratemorethan80	NTE NTE Electronics	NTE

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