首页 >MUR20060CTR>规格书列表
| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
MUR20060CTR | Super Fast Recovery Diode, 200A Features • Dual Diode Construction • Low Leakage Current • Low forward voltage drop • High surge current capability • Super Fast Switching 文件:139.16 Kbytes 页数:2 Pages | NAINA | NAINA | |
MUR20060CTR | Silicon Super Fast Recovery Diode Features • High Surge Capability • Types from 400 to 600 V VRRM • Not ESD Sensitive 文件:380.7 Kbytes 页数:3 Pages | GENESIC | GENESIC | |
MUR20060CTR | HIGH POWER- SUPER FAST RECTIFIERS Features • High Surge Capability • Types up to 600 V VRRM 文件:414.06 Kbytes 页数:2 Pages | AMERICASEMI | AMERICASEMI | |
MUR20060CTR | Silicon Super Fast Recovery Diode 文件:667.75 Kbytes 页数:3 Pages | GENESIC | GENESIC | |
MUR20060CTR | Super Fast Recovery Rectifiers | Navitas 纳微半导体 | Navitas | |
MUR20060CTR | Package:双塔架;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
产品属性
- 产品编号:
MUR20060CTR
- 制造商:
GeneSiC Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 包装:
散装
- 二极管配置:
1 对共阳极
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
100A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 工作温度 - 结:
-55°C ~ 150°C
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
双塔架
- 供应商器件封装:
双塔架
- 描述:
DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GeneSiC |
1935+ |
N/A |
55 |
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询价 | ||
GENESIC |
25+ |
双塔架 |
96 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
GeneSiC |
22+ |
NA |
55 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
GeneSiC Semiconductor |
22+ |
Twin Tower |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
NSL |
2022+ |
200A/600V |
1500 |
长期供应,价格优势,全新原装,支持实单, |
询价 | ||
GeneSiC Semiconductor |
25+ |
双塔架 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
GeneSiC |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
PERSEMI |
23+ |
DIP |
16012 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXFN |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
询价 | ||
IXFN |
2023+ |
module |
48000 |
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站 |
询价 |
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