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MUR30010CTR	文件：139.42 Kbytes Page：2 Pages	Super Fast Recovery Diode, 300A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.
MUR30010CTR	文件：419.98 Kbytes Page：2 Pages	HIGH POWER- SUPER FAST RECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC
MUR30010CTR	文件：693.15 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
MUR30010CTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：双塔架类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE MODULE 100V 150A 2TOWER	GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
GKT30010	文件：550.03 Kbytes Page：12 Pages	CERAMICDIELECTRICTRIMMERCAPACITORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
GKU30010	文件：550.03 Kbytes Page：12 Pages	CERAMICDIELECTRICTRIMMERCAPACITORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
MAX30010	文件：216.57 Kbytes Page：25 Pages	1.2Vto5.5V,±15kVESD-Protected,0.1μA,35Mbps,8-ChannelLevelTranslators	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MTP30010	文件：669.05 Kbytes Page：3 Pages	Three-PhaseBridgeRectifier	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
MUR30010CT	文件：419.98 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC
MUR30010CT	文件：693.15 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
MUR30010CT	文件：139.42 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,300A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.
MURF30010	文件：342.82 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
MURF30010R	文件：342.82 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
MURT30010	文件：360.5 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
MURT30010	文件：786.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
MURT30010	文件：431.08 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC
MURT30010R	文件：431.08 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC
MURT30010R	文件：786.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
MURT30010R	文件：360.5 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
MV30010	文件：189.63 Kbytes Page：4 Pages	GaAsVaractorDiodesHyperabrupt	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司

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产品属性

产品编号：
MUR30010CTR
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
150A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
双塔架
供应商器件封装：
双塔架
描述：
DIODE MODULE 100V 150A 2TOWER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MUR30010CTR供应商更新时间2024-4-27 10:18:00

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