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MUPTB33E3	文件：458.33 Kbytes Page：5 Pages	5V – 48V Powermite1, Surface Mount Transient Voltage Suppressors DESCRIPTION Microsemi’suniqueandnewPowermiteMUPTseriesoftransientvoltagesuppressorsfeature oxide-passivatedchipswithhigh-temperaturesolderbondsforhighsurgecapabilityandnegligible electricaldegradationunderrepeatedsurgeconditions.Bothunidirectionalandbidirectional	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MUPTB33E3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-216AA；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 33VWM 56.7VC POWERMIT1	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MUPTB33E3/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-216AA；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：UNI-DIRECTIONAL TVS	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
SMAJ33E3	文件：489.87 Kbytes Page：6 Pages	400WTransientVoltageSuppressor(TVS)protectiondevice Descriptionandapplications Thisdevicehastheabilitytoclampdangeroushighvoltage,shorttermtransientssuchasproducedbydirectedor radiatedelectrostaticdischargephenomenabeforeenteringsensitivecomponentregionsofacircuitdesign.Response timeofclampingactionisvirtual	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SMCGLCE33E3	文件：241.7 Kbytes Page：4 Pages	1500WATTLOWCAPACITANCESURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR DESCRIPTION ThissurfacemountTransientVoltageSuppressor(TVS)productfamilyincludesarectifierdiodeelementinseriesandoppositedirectiontoachievelowcapacitancebelow100pF.TheyarealsoavailableasRoHSCompliantwithane3suffix.ThelowTVScapacitancemaybeusedforprote	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SMCJLCE33E3	文件：241.7 Kbytes Page：4 Pages	1500WATTLOWCAPACITANCESURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR DESCRIPTION ThissurfacemountTransientVoltageSuppressor(TVS)productfamilyincludesarectifierdiodeelementinseriesandoppositedirectiontoachievelowcapacitancebelow100pF.TheyarealsoavailableasRoHSCompliantwithane3suffix.ThelowTVScapacitancemaybeusedforprote	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

产品属性

产品编号：
MUPTB33E3
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
散装
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
33V
电压 - 击穿（最小值）：
36.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
56.7V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
2.65A
功率 - 峰值脉冲：
1000W（1kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-216AA
供应商器件封装：
Powermite 1（DO216-AA）
描述：
TVS DIODE 33VWM 56.7VC POWERMIT1

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更多MUPTB33E3供应商更新时间2025-5-29 23:00:00

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