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MUPTB10E3	文件：458.33 Kbytes Page：5 Pages	5V – 48V Powermite1, Surface Mount Transient Voltage Suppressors DESCRIPTION Microsemi’suniqueandnewPowermiteMUPTseriesoftransientvoltagesuppressorsfeature oxide-passivatedchipswithhigh-temperaturesolderbondsforhighsurgecapabilityandnegligible electricaldegradationunderrepeatedsurgeconditions.Bothunidirectionalandbidirectional	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MUPTB10E3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-216AA；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 10VWM 18VC POWERMITE 1	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
AMT10E3-V	文件：935.82 Kbytes Page：10 Pages	MODULARINCREMENTALENCODER FEATURES •patentedcapacitiveASICtechnology •lowpowerconsumption •CMOSoutputs •16DIPswitchselectableresolutions •indexpulse •modularpackagedesign •straight(radial)andright-angle(axial)versions •9mountingholeoptionsforradialversion •8mountingholeoptionsf	CUID CUI Devices	CUID
MUPT10E3	文件：458.33 Kbytes Page：5 Pages	5V–48VPowermite1,SurfaceMountTransientVoltageSuppressors DESCRIPTION Microsemi’suniqueandnewPowermiteMUPTseriesoftransientvoltagesuppressorsfeature oxide-passivatedchipswithhigh-temperaturesolderbondsforhighsurgecapabilityandnegligible electricaldegradationunderrepeatedsurgeconditions.Bothunidirectionalandbidirectional	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SMAJ10E3	文件：489.87 Kbytes Page：6 Pages	400WTransientVoltageSuppressor(TVS)protectiondevice Descriptionandapplications Thisdevicehastheabilitytoclampdangeroushighvoltage,shorttermtransientssuchasproducedbydirectedor radiatedelectrostaticdischargephenomenabeforeenteringsensitivecomponentregionsofacircuitdesign.Response timeofclampingactionisvirtual	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SMCGLCE10E3	文件：241.7 Kbytes Page：4 Pages	1500WATTLOWCAPACITANCESURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR DESCRIPTION ThissurfacemountTransientVoltageSuppressor(TVS)productfamilyincludesarectifierdiodeelementinseriesandoppositedirectiontoachievelowcapacitancebelow100pF.TheyarealsoavailableasRoHSCompliantwithane3suffix.ThelowTVScapacitancemaybeusedforprote	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SMCJLCE10E3	文件：241.7 Kbytes Page：4 Pages	1500WATTLOWCAPACITANCESURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR DESCRIPTION ThissurfacemountTransientVoltageSuppressor(TVS)productfamilyincludesarectifierdiodeelementinseriesandoppositedirectiontoachievelowcapacitancebelow100pF.TheyarealsoavailableasRoHSCompliantwithane3suffix.ThelowTVScapacitancemaybeusedforprote	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
T10E3	文件：83.03 Kbytes Page：1 Pages	T10A1	EDAL Edal Industries, Inc.	EDAL
UPTB10E3	文件：225.87 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

产品属性

产品编号：
MUPTB10E3
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
散装
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
10V
电压 - 击穿（最小值）：
11V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
18V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
8.33A
功率 - 峰值脉冲：
1000W（1kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-216AA
供应商器件封装：
Powermite 1（DO216-AA）
描述：
TVS DIODE 10VWM 18VC POWERMITE 1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市双美芯科技有限公司	MUPTB10E3	MICROCHIP(美国微芯)	23+	DO-216AA	7087	原装现货,免费送样,可开原型号税票。提供技术支持	询价
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更多MUPTB10E3供应商更新时间2025-5-20 23:00:00

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