| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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ONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
留言
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ON/安森美NA |
18000 |
19+ |
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12年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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11年
留言
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ON(安森美)SOT-23(SOT-23-3) |
11860 |
23+ |
公司只做原装正品,假一赔十 |
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7年
留言
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ON(安森美)SC-59 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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8年
留言
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ONSOT23 |
26000 |
24+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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7年
留言
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ON(安森美)SC-59 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
21000 |
25+ |
原厂原标正品假一罚十 |
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7年
留言
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ON(安森美)SC-59 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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15年
留言
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ONSOT-23 |
42000 |
23+ |
原厂/代理渠道价格 |
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13年
留言
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ON SEMITube |
75000 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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7年
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ONSEMIN/A |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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3年
留言
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ON/安森美NA |
18000 |
19+ |
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ONSOT-23 |
14950 |
24+ |
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5年
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ONSOT23-3 |
26200 |
25+ |
原装现货,诚信经营! |
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3年
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ON/安森美NA |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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5年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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2年
留言
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ONSOT-23 |
78000 |
16+/17+ |
渠道现货库存-原装正品 |
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4年
留言
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ONSOT-23 |
7352 |
16+/17+ |
渠道现货库存-原装正品 |
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更多MUN2211制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2211_09制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor
MUN2211JT1功能描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极(R1)（欧）:47k 电阻器 - 发射极(R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷(TR) 其它名称:SP000756242
MUN2211JT1G功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MUN2211RT1制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor
MUN2211T1功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MUN2211T1/D功能描述:Bias Resistor Transistors
MUN2211T1_07制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Bias Resistor Transistors
MUN2211T1G功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MUN2211T3功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
