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CDA3N08-G	文件：126.6 Kbytes Page：2 Pages	SteeringDiodeArrays-ESDSuppressors Features •(16kV)IEC61000-4-2capable •FastReverseRecoveryTime •FastTurnonTime •LowCapacitance •SMDPackages Applications •SignalTermination •SignalConditioning •ESDSuppression •TransientSuppression	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
DN3N08TTE	文件：102.81 Kbytes Page：2 Pages	diodeterminatornetwork	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
DN3N08TTE	文件：211.15 Kbytes Page：2 Pages	diodeterminatornetwork	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
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MTD3N08LI	文件：360.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,po	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RFD3N08	文件：69.22 Kbytes Page：8 Pages	3A,80V,0.800Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFD3N08LandRFD3N08LSMareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplished	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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