MTP2955V数据手册ONSEMI中文资料规格书
MTP2955V规格书详情
描述 Description
General Description
This P-Channel MOSFET has been designed specifically for low voltage, high speed switching applications i.e. power supplies and power motor controls.
These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications.
特性 Features
• -12 A, -60 V. RDS(ON) = 0.230 Ω @ VGS = -10 V
• Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature.
• Rugged internal source-drain diode can eliminate the need for an external Zener diode transient suppressor.
• 175°C maximum junction temperature rating.
技术参数
- 型号：
MTP2955V
- 功能描述：
MOSFET DISC BY MFG 2/02
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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