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MTD6N20ET4G-TP

Marking:TPM2006NHK3;Package:TO-252-3L;N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q

Features ©Vos=200v +o=60A +Rosin50650@Ves=10V.

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

MTD6N20ET4

PowerMOSFET6Amps,200VoltsN?묬hannelDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MTD6N20ET4G

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·motordrive, ·DC-DCconverter, ·powerswitchandsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

MTD6N20ET4G

PowerMOSFET6Amps,200VoltsN?묬hannelDPAK

ONSEMION Semiconductor

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供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TECH PUBLIC(台舟)
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TO-252-3L
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SOT252
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更多MTD6N20ET4G-TP供应商 更新时间2025-5-28 18:16:00