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MTD6N20ET4	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N?묬hannel DPAK 文件：90.4 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTD6N20ET4G	文件：324.44 Kbytes Page：3 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.7Ω(Max) @ VGS= 10V DESCRIPTION ·motor drive, ·DC-DC converter, ·power switch and solenoid drive. 文件：324.44 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MTD6N20ET4G-TP	文件：1.00039 Mbytes Page：3 Pages	丝印：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q Features © Vos =200v + o= 60A + Rosin 50650 @Ves = 10V. 文件：1.00039 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
MTD6N20ET4G	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N?묬hannel DPAK 文件：90.4 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
MTD6N20ET4
功能描述：
MOSFET 200V 6A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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