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MTD6N15中文资料摩托罗拉数据手册PDF规格书

MTD6N15
厂商型号

MTD6N15

功能描述

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM

文件大小

231.95 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Motorola, Inc
企业简称

MOTOROLA摩托罗拉

中文名称

加尔文制造公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 12:21:00

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MTD6N15规格书详情

Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount

N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

This TMOS Power FET is designed for high speed, low loss power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.

• Silicon Gate for Fast Switching Speeds

• Low RDS(on) — 0.3 Ω Max

• Rugged — SOA is Power Dissipation Limited

• Source–to–Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads

• Low Drive Requirement — VGS(th) = 4.0 V Max

• Surface Mount Package on 16 mm Tape

产品属性

  • 型号:

    MTD6N15

  • 功能描述:

    MOSFET 150V 6A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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