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MTP2N50E	文件：1.08667 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP2N50E	文件：244.36 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=3.6OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
PHB2N50	文件：59.95 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableoff-statecharacteristics,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intended	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB2N50E	文件：75.26 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP2N50Eissupplied	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB2N50E	文件：344.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD2N50E	文件：1.07611 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHD2N50E	文件：298.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD2N50E	文件：75.26 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP2N50Eissupplied	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP2N50	文件：56.95 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableoff-statecharacteristics,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePower	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP2N50	文件：1.08655 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	MTD2N50EFQD3N54C	F	SOT-252	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	MTD2N50EFQD3N54C	F	23+	SOT-252	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	MTD2N50EFQD3N54C	F	22+	SOT-252	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	MTD2N50EMOS(场效应管)	ON/安森美	23+	TO-251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	MTD2N50EMOS(场效应管)	ON/安森美	22+	TO-252	19732		询价
深圳市华来深电子有限公司	MTD2N50ET4	ON	23+	TO-252	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳诚思涵科技有限公司	MTD2N50ET4	ON	18+	TO252	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	MTD2N50ET4	ON/安森美	22+	TO-252	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市晨豪科技有限公司	MTD2N50ET4	ON/安森美	23+	TO-252	89630	当天发货全新原装现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	MTD2N50ET4	ON/安森美	20+	TO-252	32500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价

更多MTD2N50ED供应商更新时间2025-7-25 14:02:00

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