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MTD15N06V	文件：218.7 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 15 AMPERES 60 VOLTS TMOS V Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS V is a new technology designed to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles the present cell density of our 50 and 6 文件：218.7 Kbytes 页数：10 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MTD15N06V	文件：230.52 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：230.52 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTD15N06V	文件：1.00427 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.00427 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
MTD15N06VL	文件：179.79 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.085 OHM TMOS V Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS V is a new technology designed to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles the present cell density of our 50 and 6 文件：179.79 Kbytes 页数：10 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MTD15N06V-1	文件：230.52 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：230.52 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTD15N06VL	文件：273.42 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：273.42 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTD15N06VL-1	文件：273.42 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：273.42 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTD15N06VLT4	文件：273.42 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：273.42 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTD15N06VT4	文件：230.52 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：230.52 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTD15N06V-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
MTD15N06V
制造商：
ON Semiconductor
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

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更多MTD15N06V供应商更新时间2026-1-22 14:02:00

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