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MTD10N10ELT4	文件：93.35 Kbytes Page：8 Pages	TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD10N10ELT4	文件：79.09 Kbytes Page：7 Pages	TMOS E?묯ET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
MTD10N10ELT4
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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