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MTB2N60E	文件：271.17 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB2N60E	文件：269.88 Kbytes Page：10 Pages	High Energy Power FET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTN2N60CFP	文件：526.45 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN2N60DFP	文件：526.09 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN2N60FP	文件：295.12 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTP2N60	文件：219.5 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=3.8OHMS TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandh	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP2N60	文件：301.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP2N60E	文件：219.5 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=3.8OHMS TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandh	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP2N60E	文件：112.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistor N−ChannelEnhancement−ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage−blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE−FETisdesignedtowithstandhi	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP2N60E	文件：215.56 Kbytes Page：7 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MTB2N60E	ON	24+		30000		询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	MTB2N60E	ON	23+	TO-263	6893		询价
深圳市华斯顿科技有限公司	MTB2N60E	ON	25+23+	TO263	72716	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市胜彬电子有限公司	MTB2N60E	MOTOROLA	22+	TO-263	3000	原装正品,支持实单	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	MTB2N60ET4G	ON/安森美	2022+	SOT263	29880	原厂代理终端免费提供样品	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MTB2N60E/D	MOT/ON	23+	TO	15012	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	MTB2N60ET4G	ON/安森美	23+	SOT263	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	MTB2N60ET4G	ON/安森美	22+	SOT263	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	MTB2N60ET4G	ON/安森美	23+	SOT263	8000	只做原装现货	询价
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更多MTB2N60E供应商更新时间2025-6-13 15:30:00

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