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RLFGB8N60CT	文件：2.16524 Mbytes Page：6 Pages	IGBT Features ◼600V,8A ◼VCE(sat)(typ.)=1.8V@VGE=15V,IC=8A ◼Highspeedswitching ◼Highersystemefficiency ◼Softcurrentturn-offwaveforms ◼SquareRBSOA GeneralDescription trenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS,	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
SIHJ8N60E	文件：224.43 Kbytes Page：11 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SLD8N60U	文件：329.77 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司	MAPLESMI
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SLF8N60U	文件：951.28 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司	MAPLESMI
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SLU8N60U	文件：329.77 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司	MAPLESMI
SSF8N60	文件：1.14907 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSF8N60	文件：440.39 Kbytes Page：6 Pages	Extremelyhighdv/dtcapability	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON

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更多MT8N60C供应商更新时间2025-7-28 17:55:00

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