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MT8N60C	文件：1.10739 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTH8N60	文件：386.73 Kbytes Page：5 Pages	PowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulatorsconverters,solenoidandrealydrivers.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTH8N60	文件：293.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTM8N60	文件：386.73 Kbytes Page：5 Pages	PowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulatorsconverters,solenoidandrealydrivers.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTM8N60	文件：283.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTN8N60BFP	文件：461.81 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN8N60FP	文件：334.52 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTP8N60	文件：119.62 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTW8N60E	文件：206.21 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTW8N60E	文件：70.77 Kbytes Page：2 Pages	TMOSPOWERFET8.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=0.55OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTW8N60E	文件：322.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTW8N60E/D	文件：70.77 Kbytes Page：2 Pages	TMOSPOWERFET8.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=0.55OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
NJ8N60	文件：530.5 Kbytes Page：7 Pages	7.5A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ8N60-BL	文件：530.5 Kbytes Page：7 Pages	7.5A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
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NJ8N60-LI	文件：530.5 Kbytes Page：7 Pages	7.5A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PJF8N60	文件：181.27 Kbytes Page：5 Pages	600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJP8N60	文件：181.27 Kbytes Page：5 Pages	600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
RLFGB8N60CT	文件：2.16524 Mbytes Page：6 Pages	IGBT Features ◼600V,8A ◼VCE(sat)(typ.)=1.8V@VGE=15V,IC=8A ◼Highspeedswitching ◼Highersystemefficiency ◼Softcurrentturn-offwaveforms ◼SquareRBSOA GeneralDescription trenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS,	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
SIHJ8N60E	文件：224.43 Kbytes Page：11 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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更多MT8N60C供应商更新时间2024-9-21 14:48:00

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