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MT47H64M8JN-25E IT:G

包装:散装 封装/外壳:60-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

MT47H64M8JN-25E:G

包装:散装 封装/外壳:60-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

产品属性

  • 产品编号:

    MT47H64M8JN-25E IT

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    散装

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR2

  • 存储容量:

    512Mb(64M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 95°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    60-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    60-FBGA(8x10)

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Micron
22+
60FBGA (8x10)
9000
原厂渠道,现货配单
询价
Micron
23+
60FBGA (8x10)
9000
原装正品,支持实单
询价
Micron Technology Inc.
21+
165-LBGA
5280
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MICRON
2023+
BGA
80000
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Micron
22+
FBGA
14000
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更多MT47H64M8JN-25E供应商 更新时间2024-9-24 16:53:00