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MT47H32M16BN-25E:D TR中文资料IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA数据手册Micron规格书

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厂商型号

MT47H32M16BN-25E:D TR

参数属性

MT47H32M16BN-25E:D TR 封装/外壳为84-TFBGA;包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA

功能描述

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

封装外壳

84-TFBGA

制造商

Micron Micron Technology

中文名称

美光 美光科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 17:16:00

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MT47H32M16BN-25E:D TR价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 制造商编号

    :MT47H32M16BN-25E:D TR

  • 生产厂家

    :Micron

  • 存储器格式

    :DRAM

  • 技术

    :SDRAM - DDR2

  • 存储容量

    :512Mb (32M x 16)

  • 时钟频率

    :400MHz

  • 写周期时间 - 字,页

    :15ns

  • 访问时间

    :400ps

  • 存储器接口

    :并联

  • 电压 - 电源

    :1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度

    :0°C ~ 85°C(TC)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :84-TFBGA

  • 供应商器件封装

    :84-FBGA(10x12.5)

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