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MT47H256M8中文资料DDR2 SDRAM MT47H512M4 – 64 Meg x 4 x 8 banks MT47H256M8 – 32 Meg x 8 x 8 banks MT47H128M16 – 16 Meg x 16 x 8 banks数据手册Micron规格书

厂商型号 |
MT47H256M8 |
参数属性 | MT47H256M8 封装/外壳为60-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA |
功能描述 | DDR2 SDRAM MT47H512M4 – 64 Meg x 4 x 8 banks MT47H256M8 – 32 Meg x 8 x 8 banks MT47H128M16 – 16 Meg x 16 x 8 banks |
封装外壳 | 60-TFBGA |
制造商 | Micron Micron Technology |
中文名称 | 美光 美光科技有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 19:00:00 |
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技术参数
- 产品编号:
MT47H256M8EB-187E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR2
- 存储容量:
2Gb(256M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:
0°C ~ 85°C(TC)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
60-TFBGA
- 供应商器件封装:
60-FBGA(9x11.5)
- 描述:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Micron/镁光 |
24+ |
FBGA-60 |
8685 |
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询价 | ||
MICRON/美光 |
24+ |
FBGA-60 |
6000 |
原装现货 |
询价 | ||
MICRON/镁光 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
MICRON |
23+ |
TSSOP |
30000 |
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询价 | ||
Micron |
22+ |
60FBGA (9x11.5) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
MICRON |
24+ |
BGA60 |
2500 |
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询价 | ||
Micron |
23+ |
NA |
10658 |
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MICRON |
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BGA |
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询价 | ||
Micron/镁光 |
24+ |
FBGA-60 |
30000 |
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MICROND9KWD |
25+23+ |
BGA |
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