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MT47H256M8中文资料DDR2 SDRAM MT47H512M4 – 64 Meg x 4 x 8 banks MT47H256M8 – 32 Meg x 8 x 8 banks MT47H128M16 – 16 Meg x 16 x 8 banks数据手册Micron规格书

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厂商型号

MT47H256M8

参数属性

MT47H256M8 封装/外壳为60-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA

功能描述

DDR2 SDRAM MT47H512M4 – 64 Meg x 4 x 8 banks MT47H256M8 – 32 Meg x 8 x 8 banks MT47H128M16 – 16 Meg x 16 x 8 banks

封装外壳

60-TFBGA

制造商

Micron Micron Technology

中文名称

美光 美光科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 19:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    MT47H256M8EB-187E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR2

  • 存储容量:

    2Gb(256M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 85°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    60-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    60-FBGA(9x11.5)

  • 描述:

    IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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