| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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MICRONFBGA60 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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MICRONFBGA60 |
19570 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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MICRONBGA |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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MICROBGA |
154 |
14+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
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MTCNA |
126 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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MICRON/美光BGA |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市正纳电子有限公司12年
留言
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micron(镁光)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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Micron60-FBGA |
65600 |
23+ |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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MicronTechnologyIncICDDR2SDRAM1GBIT3NS60FBG |
5058 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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FBGA |
6528 |
2017+ |
只做原装正品假一赔十! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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MICROBGA |
200 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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MICRONBGA |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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MICRONFBGA |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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MICRON/美光BGA |
96880 |
23+ |
只做原装,欢迎来电资询 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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MICROBGA |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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MTBGA |
12588 |
21+ |
全新原装深圳现货 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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MICRON31FBGA-60 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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MICRONBGA |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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MICRON60-FBGA |
18422 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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BGA |
68900 |
MICRON |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
MT47H128M8HQ-3 L:G采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MT47H128M8HQ-3 L:G图片
MT47H128M8HQ-3:E中文资料Alldatasheet PDF
更多MT47H128M8HQ-3 L:G功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K(512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷(TR)
MT47H128M8HQ-3 L:G TR功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘
产品属性
- 产品编号：
MT47H128M8HQ-3 L
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - DDR2
- 存储容量：
1Gb（128M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
15ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度：
0°C ~ 85°C（TC）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
60-FBGA
- 供应商器件封装：
60-FBGA（8x11.5）
- 描述：
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
