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MT41J256M8集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
MT41J256M8 |
参数属性 | MT41J256M8 封装/外壳为78-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA |
功能描述 | 2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM Features |
文件大小 |
2.90783 Mbytes |
页面数量 |
211 页 |
生产厂商 | Micron Technology Inc. |
企业简称 |
Micron【镁光】 |
中文名称 | 美国镁光科技有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-17 20:00:00 |
MT41J256M8规格书详情
DDR3 SDRAM
2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM
Features
• VDD= VDDQ= 1.5V ±0.075V
• 1.5V center-terminated push/pull I/O
• Differential bidirectional data strobe
• 8n-bit prefetch architecture
• Differential clock inputs (CK, CK#)
• 8 internal banks
• Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals
• Programmable CAS READ latency (CL)
• Posted CAS additive latency (AL)
• Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on tCK
• Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS])
• Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
• Self refresh mode
• TC of 0°C to 95°C
– 64ms, 8192 cycle refresh at 0°C to 85°C
– 32ms, 8192 cycle refresh at 85°C to 95°C
• Self refresh temperature (SRT)
• Write leveling
• Multipurpose register
• Output driver calibration
MT41J256M8属于集成电路(IC) > 存储器。美国镁光科技有限公司制造生产的MT41J256M8存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号:
MT41J256M8DA-107
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR3
- 存储容量:
2Gb(256M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:
0°C ~ 95°C(TC)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
78-TFBGA
- 供应商器件封装:
78-FBGA(8x10.5)
- 描述:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICRON/美光 |
22+ |
BGA |
100000 |
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询价 | ||
Micron/镁光 |
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MICRON |
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MICRON/美光 |
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BGA |
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MICRON/美光 |
22+ |
BGA |
354000 |
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MICRON |
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MICRON |
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BGA |
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