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MT41J256M4集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
MT41J256M4 |
参数属性 | MT41J256M4 封装/外壳为78-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA |
功能描述 | DDR3 SDRAM MT41J256M4 ??32 Meg x 4 x 8 banks MT41J128M8 ??16 Meg x 8 x 8 banks MT41J64M16 ??8 Meg x 16 x 8 banks |
文件大小 |
2.93817 Mbytes |
页面数量 |
214 页 |
生产厂商 | Micron Technology Inc. |
企业简称 |
Micron【镁光】 |
中文名称 | 美国镁光科技有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-22 10:50:00 |
MT41J256M4规格书详情
MT41J256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks
MT41J128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks
MT41J64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks
DDR3 SDRAM uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. A single read or write operation for the DDR3 SDRAM effectively consists of a single 8n-bit-wide, four-clock cycle data transfer at the internal DRAM core and eight corresponding n-bit-wide, one half-clock-cycle data transfers at the I/O pins.
MT41J256M4属于集成电路(IC) > 存储器。美国镁光科技有限公司制造生产的MT41J256M4存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号:
MT41J256M4JP-125
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR3
- 存储容量:
1Gb(256M x 4)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:
0°C ~ 95°C(TC)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
78-TFBGA
- 供应商器件封装:
78-FBGA(8x11.5)
- 描述:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Micron |
23+ |
78FBGA |
28500 |
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MICRON/美光 |
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FBGA |
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Micron |
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FBGA |
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MICRON/镁光 |
23+ |
BGA |
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MICRON |
21+ |
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MicronTechnologyInc. |
2019+ |
78-FBGA(8x11.5) |
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Micron Technology Inc. |
21+ |
78-TFBGA |
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MICRON/美光 |
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BGA |
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