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MT3S20TU中文资料PDF规格书

MT3S20TU
厂商型号

MT3S20TU

参数属性

MT3S20TU 封装/外壳为3-SMD,扁平引线;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM

功能描述

VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications

文件大小

194.92 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 17:39:00

产品属性

  • 产品编号:

    MT3S20TU(TE85L)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.45dB @ 20mA,5V

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    900mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 50mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    UFM

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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